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超低噪声光电探测器

超低噪声光电探测器的概况 -

低噪声InGaAs 光电探测器（Low-Noise InGaAs Photodetector）是一种基于铟镓砷（InGaAs）半导体材料的高灵敏度光电传感器，专为近红外波段（900-2600 nm）的光信号探测而设计，具有极低的暗电流和噪声水平，适用于高精度、弱光环境下的光电信号检测。
超低噪声光电探测器的优势 +

核心特性与优势

• 低噪声设计

- 通过优化材料结构（如 InGaAs/InP 异质结）、制冷技术和低噪声电路设计，显著降低热噪声和散粒噪声。

- 暗电流可低至 pA 级，提升信噪比（SNR）。

• 宽光谱响应范围

- 覆盖近红外波段（典型范围 900-1700 nm），适用于光纤通信（1310/1550 nm）、激光雷达（LiDAR）、光谱分析、量子通信等领域。

• 高响应速度

- 响应时间短（纳秒级），支持高速光脉冲探测（如 OTDR、单光子探测）。

• 模块化集成

- 部分型号集成前置放大器、温控模块和数字接口，简化系统集成。
超低噪声光电探测器的性能 +

超低噪声光电探测器的指标 +

SWIR-A系列

SWIR-B系列

NIR系列

VIS系列

探测器系列

铟镓砷InGaAs（Pin）

硅基Si（Pin）

产品系列

PD-SWIR-A

PD-SWIR-B

PD-NIR

PD-VIS

产品型号

-90 M

-20 M

-150 k

-3 M

-275 M

-150 M

-75 M

-210 M

-150 M

-50 M

光敏直径

0.3 mm（0.07065 mm²）

带球透镜0.2 mm（0.0314 mm²）

0.4 mm（0.1256 mm²）

波长范围

900 – 2600 nm

900 – 1700 nm

320 – 1000 nm

峰值响应度

1.3 A/W @ 2200 nm

1.10 A/W @ 2200 nm

0.95 A/W @ 1550 nm

0.52 A/W @ 760 nm

最大输出电压

5 V

3.5 V

5 V

2.5 V

5 V

2.5 V

5 V

跨阻增益

1 kV/A

10 kV/A

1 MV/A

1 MΩ

5 kΩ

10 kV/A

5 kV/A

20 kV/A

10 kV/A

5 kV/A

20 kV/A

带宽

90 MHz

20 MHz

150 kHz

3 MHz

275 MHz

150 MHz

75 MHz

210 MHz

150 MHz

50 MHz

噪声等效功率
pW / √ Hz

0.3

3.5

2.5

6.2

7.2

最大输出光功率

3.8 mW

380 uW

2.7 uW

260 uW

1 mW

260 uW

480 uW

2 mW

480 uW

响应时间

4 ns

18 ns

2.5 us

1.5 ns

2.5 ns

5 ns

2 ns

2.5 ns

7.5 ns

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