EUV光刻工艺要求在硅片上绘制5nm线宽（相当于头发丝直径的1/10万），振动位移必须严格控制在1nm RMS以下，否则将导致线宽波动超±15%或套刻偏差≥3nm。
行业痛点深度分析
环境振动隔离
外部振动源（如地铁、建筑施工）在1~5Hz频段的微小扰动即可导致良率显著下降,例如：某5nm晶圆厂实测显示，2~5Hz振动超标3dB时，良率下降1.8%，年经济损失超2500万美元
我们的解决方案
采用主被动一体化隔振平台，通过气浮支撑与主动控制结合，将隔振频段扩展至0.5~200Hz，振动控制精度提升至<1nm RMS，较传统被动隔振精度提高2个数量级
设备内部振动抑制
光刻机双工件台高速运动（0.8~1.0m/s）产生的加减速振动需衰减至≤0.005nm，否则会引发图形边缘毛糙（LER升至2.0~2.2nm）
我们的解决方案
通过六自由度主动隔振系统实时抵消多方向振动，结合高精度直线电机作动器（加速度输出范围0.001~5伽），确保曝光工位振动幅值稳定达标
