NMR、磁铁、杂散场屏蔽
NMR、磁铁、杂散场屏蔽
为了减少核磁共振的强磁场，需要对核磁共振杂散场进行磁屏蔽，主要是为了将磁体周围的区域控制在 5 高斯 (500μT) 以下。然而，磁屏蔽的应用并不限于只影响 5 高斯线。在PowerShield®杂散磁场屏蔽系统的帮助下，也可以实现限制杂散磁场的其他目标。
使用PowerShield® 杂散场屏蔽系统，屏蔽和非屏蔽核磁共振的杂散场都会被削弱。在进行任何屏蔽工作之前， Systron 会进行 2D / 3D FEM（有限元模型）软件模拟，以确定材料的厚度和适当的屏蔽区域。屏蔽措施的用途是保持公共区域所要求的的 5 高斯线。
为了减少核磁共振的强磁场，需要对核磁共振杂散场进行磁屏蔽，主要是为了将磁体周围的区域控制在 5 高斯 (500μT) 以下。然而，磁屏蔽的应用并不限于只影响 5 高斯线。在PowerShield®杂散磁场屏蔽系统的帮助下，也可以实现限制杂散磁场的其他目标。
使用PowerShield® 杂散场屏蔽系统，屏蔽和非屏蔽核磁共振的杂散场都会被削弱。在进行任何屏蔽工作之前， Systron 会进行 2D / 3D FEM（有限元模型）软件模拟，以确定材料的厚度和适当的屏蔽区域。屏蔽措施的用途是保持公共区域所要求的的 5 高斯线。
技术规格
➤ 频率：直流（0 Hz）
➤ 伞形屏蔽系数：50 @ 0 Hz
➤ 应用领域：核磁共振 / 磁共振 / 磁铁
产品图库
