超低噪声光电探测器

超低噪声光电探测器
 
低噪声InGaAs 光电探测器(Low-Noise InGaAs Photodetector)是一种基于铟镓砷(InGaAs)半导体材料的高灵敏度光电传感器,专为近红外波段(900-2600 nm)的光信号探测而设计,具有极低的暗电流和噪声水平,适用于高精度、弱光环境下的光电信号检测。

核心特性与优势
 
• 低噪声设计
    - 通过优化材料结构(如 InGaAs/InP 异质结)、制冷技术和低噪声电路设计,显著降低热噪声和散粒噪声。
    - 暗电流可低至 pA 级,提升信噪比(SNR)。
• 宽光谱响应范围
    - 覆盖近红外波段(典型范围 900-1700 nm),适用于光纤通信(1310/1550 nm)、激光雷达(LiDAR)、光谱分析、量子通信等领域。
• 高响应速度
    - 响应时间短(纳秒级),支持高速光脉冲探测(如 OTDR、单光子探测)。
• 模块化集成
    - 部分型号集成前置放大器、温控模块和数字接口,简化系统集成。
 
  SWIR-A系列 SWIR-B系列 NIR系列 VIS系列
探测器系列 铟镓砷InGaAs(Pin) 硅基Si(Pin)
产品系列 PD-SWIR-A PD-SWIR-B PD-NIR PD-VIS
产品型号 -90 M -20 M -150 k -150 k -3 M -275 M -150 M -75 M -210 M -150 M -50 M
光敏直径 0.3 mm(0.07065 mm²) 带球透镜0.2 mm(0.0314 mm²)  0.4 mm(0.1256 mm²)
波长范围 900 – 2600 nm 900 – 1700 nm 320 – 1000 nm
峰值响应度
1.3 A/W @ 2200 nm
1.10 A/W @ 2200 nm
0.95 A/W @ 1550 nm
0.52 A/W @ 760 nm
最大输出电压 5 V 5 V 3.5 V 3.5 V 5 V 2.5 V 5 V 5 V 2.5 V 5 V 5 V
跨阻增益 1 kV/A 10 kV/A 1 MV/A 1 MΩ 5 kΩ 10 kV/A 5 kV/A 20 kV/A 10 kV/A 5 kV/A 20 kV/A
带宽 90 MHz 20 MHz 150 kHz 150 kHz 3 MHz 275 MHz 150 MHz 75 MHz 210 MHz 150 MHz 50 MHz
噪声等效功率
pW / √ Hz
17 5 0.3 0.3 2 3 3.5 2.5 6.2 7.2 5
最大输出光功率 3.8 mW 380 uW 2.7 uW - - 260 uW 1 mW 260 uW 480 uW 2 mW 480 uW
响应时间 4 ns 18 ns 2.5 us - -
1.5 ns
2.5 ns 5 ns 2 ns 2.5 ns 7.5 ns

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