超低噪声光电探测器
核心特性与优势
• 低噪声设计
- 通过优化材料结构(如 InGaAs/InP 异质结)、制冷技术和低噪声电路设计,显著降低热噪声和散粒噪声。
- 暗电流可低至 pA 级,提升信噪比(SNR)。
• 宽光谱响应范围
- 覆盖近红外波段(典型范围 900-1700 nm),适用于光纤通信(1310/1550 nm)、激光雷达(LiDAR)、光谱分析、量子通信等领域。
• 高响应速度
- 响应时间短(纳秒级),支持高速光脉冲探测(如 OTDR、单光子探测)。
• 模块化集成
- 部分型号集成前置放大器、温控模块和数字接口,简化系统集成。
| SWIR-A系列 | SWIR-B系列 | NIR系列 | VIS系列 | |||||||||
| 探测器系列 | 铟镓砷InGaAs(Pin) | 硅基Si(Pin) | ||||||||||
| 产品系列 | PD-SWIR-A | PD-SWIR-B | PD-NIR | PD-VIS | ||||||||
| 产品型号 | -90 M | -20 M | -150 k | -150 k | -3 M | -275 M | -150 M | -75 M | -210 M | -150 M | -50 M | |
| 光敏直径 | 0.3 mm(0.07065 mm²) | 带球透镜0.2 mm(0.0314 mm²) | 0.4 mm(0.1256 mm²) | |||||||||
| 波长范围 | 900 – 2600 nm | 900 – 1700 nm | 320 – 1000 nm | |||||||||
| 峰值响应度 |
1.3 A/W @ 2200 nm
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1.10 A/W @ 2200 nm
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0.95 A/W @ 1550 nm
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0.52 A/W @ 760 nm
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| 最大输出电压 | 5 V | 5 V | 3.5 V | 3.5 V | 5 V | 2.5 V | 5 V | 5 V | 2.5 V | 5 V | 5 V | |
| 跨阻增益 | 1 kV/A | 10 kV/A | 1 MV/A | 1 MΩ | 5 kΩ | 10 kV/A | 5 kV/A | 20 kV/A | 10 kV/A | 5 kV/A | 20 kV/A | |
| 带宽 | 90 MHz | 20 MHz | 150 kHz | 150 kHz | 3 MHz | 275 MHz | 150 MHz | 75 MHz | 210 MHz | 150 MHz | 50 MHz | |
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噪声等效功率 pW / √ Hz |
17 | 5 | 0.3 | 0.3 | 2 | 3 | 3.5 | 2.5 | 6.2 | 7.2 | 5 | |
| 最大输出光功率 | 3.8 mW | 380 uW | 2.7 uW | - | - | 260 uW | 1 mW | 260 uW | 480 uW | 2 mW | 480 uW | |
| 响应时间 | 4 ns | 18 ns | 2.5 us | - | - |
1.5 ns
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2.5 ns | 5 ns | 2 ns | 2.5 ns | 7.5 ns | |